DMC3018LSD-13 - Diodes Incorporated

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Kynix Teil #: KY13-DMC3018LSD-13
Hersteller Teil #: DMC3018LSD-13
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
21 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins  
8
Weight  
850.995985mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
9.1A 6A
Number of Elements  
2
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Published  
2011
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
8
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Additional Feature  
HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation  
2.5W
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
40
Pin Count  
8
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2.5W
FET Type  
N and P-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
20m Ω @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
2.1V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
631pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
12.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)  
30V
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Continuous Drain Current (ID)  
6A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
9.1A
DS Breakdown Voltage-Min  
30V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature  
Logic Level Gate
Height  
1.5mm
Length  
5.3mm
Width  
4.1mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
DMC3018LSD-13 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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